当前芯片制造工艺面临三大挑战，第一，图形转移的挑战，当下主要先进工艺都是用波长193nm的光源，曝光出20nm-30nm的图形，现在集成电路的光刻工程师却能用波长193nm的光源曝光出数十纳米的图形，突破了光学的限制。第二，新材料的挑战。芯片的性能提升主要依赖新材料和新工艺。至今，大约有铜、锗等64种材料陆续进入芯片制造，每一种材料都需要数千次工艺实验。第三，提升良率的挑战，吴汉明指出，这也是所有芯片制造企业的终极挑战，只有量产且通过一定良率的工艺才能被称为成熟的成套工艺。

我国功率半导体产业起步晚，基础低，在整体的技术实力和市场占有率上与海外厂商仍有较为明显的差距。据前瞻产业研究院数据，我国在中高端MOSFET及IGBT器件市场上，90％依赖进口，市场基本被欧美、日本企业垄断。全球范围来看，前十大功率半导体厂商均为海外厂商，合计占据60％的市场份额。

AISiC属于第三代半导体材料，以其制作成的功率器件性能优异。SiC 具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高压、高频、高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，SiC 可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，下游主要用于智能电网、新能源汽车等行业。